一種改善溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體柵源漏電的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911220369.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111009577A 公開（公告）日 2020-04-14
申請公布號 CN111009577A 申請公布日 2020-04-14
分類號 H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張二雄;黃澤軍 申請（專利權(quán)）人 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 張曉會(huì)
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體柵源漏電的方法，通過避免溝槽側(cè)壁的柵極氧化層遭受P型雜質(zhì)體區(qū)注入和N型雜質(zhì)源區(qū)注入造成的兩次損傷，使得溝槽側(cè)壁的柵極氧化層質(zhì)量完好，起到較好的柵極與源極隔離作用，從而改善器件的柵源漏電，避免因柵源漏電導(dǎo)致的器件質(zhì)量下降及器件失效，具有良好的市場應(yīng)用價(jià)值。??