一種改善溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體柵源漏電的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911220369.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111009577A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-04-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111009577A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/423(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張二雄;黃澤軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳眾邦專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | 張曉會(huì) |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號(hào)長(zhǎng)園新材料港8棟4樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種改善溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體柵源漏電的方法，通過(guò)避免溝槽側(cè)壁的柵極氧化層遭受P型雜質(zhì)體區(qū)注入和N型雜質(zhì)源區(qū)注入造成的兩次損傷，使得溝槽側(cè)壁的柵極氧化層質(zhì)量完好，起到較好的柵極與源極隔離作用，從而改善器件的柵源漏電，避免因柵源漏電導(dǎo)致的器件質(zhì)量下降及器件失效，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值。?? |
