一種解決鈍化層對功率器件可靠性影響的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910282761.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110010508A 公開（公告）日 2019-07-12
申請公布號 CN110010508A 申請公布日 2019-07-12
分類號 H01L21/56;H01L23/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張二雄 申請（專利權(quán)）人 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 崔亞軍
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種解決鈍化層對功率器件可靠性影響的方法，功率器件表面包括元胞區(qū)和終端區(qū)，所述元胞區(qū)又分為GATE區(qū)域和Source區(qū)域，位于元胞區(qū)內(nèi)的GATE區(qū)域和Source區(qū)域刻開區(qū)域,其余元胞區(qū)和終端區(qū)全部覆蓋鈍化層，所述終端區(qū)除鈍化層Gate區(qū)域和source區(qū)域刻開一小塊用于封裝后引線外，同時在終端區(qū)打開一個或多個較小的刻開區(qū)，每個刻開區(qū)1um~20um寬，總刻開區(qū)的面積小于終端區(qū)面積的一半；釋放終端區(qū)鈍化層的膜內(nèi)應(yīng)力及可動離子，大大減小鈍化層對終端區(qū)的影響，解決了因可動離子及應(yīng)力問題導(dǎo)致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。