一種降低VDMOS生產(chǎn)成本的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910511087.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110176401A 公開（公告）日 2019-08-27
申請公布號 CN110176401A 申請公布日 2019-08-27
分類號 H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃澤軍;張二雄 申請（專利權(quán)）人 深圳市銳駿半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 羅郁明
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低VDMOS生產(chǎn)成本的方法，包括以下步驟：A、初始氧化層上采用光刻膠做出環(huán)區(qū)圖形和深體區(qū)圖形，環(huán)區(qū)圖形和深體區(qū)圖形形成光刻打開區(qū)；B、對光刻打開區(qū)進行刻蝕，形成深體區(qū)及終端環(huán)；C、進行高溫驅(qū)入，生長二次氧化層；D、在有源區(qū)進行VDMOS的原胞制作，二次氧化層的保留，為后續(xù)源區(qū)制作，減少1層光刻做準備；E、生長柵極氧化層，淀積多晶硅柵極；F、做多晶硅柵極的刻蝕，并刻透柵極氧化層，形成體區(qū)窗口來制作體區(qū)，之后再進行多晶硅的摻雜，同時源區(qū)也進行了制作；本發(fā)明在保證器件性能的前提下，減少一次光刻及深體區(qū)制作過程，來大幅降低成本，成本降低約20%，從而提升器件市場競爭力，具有良好的市場應(yīng)用價值。