一種降低VDMOS生產(chǎn)成本的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910511087.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110176401A 公開(kāi)（公告）日 2019-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN110176401A 申請(qǐng)公布日 2019-08-27
分類(lèi)號(hào) H01L21/336 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃澤軍;張二雄 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾邦專(zhuān)利代理有限公司 代理人 羅郁明
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號(hào)長(zhǎng)園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種降低VDMOS生產(chǎn)成本的方法，包括以下步驟：A、初始氧化層上采用光刻膠做出環(huán)區(qū)圖形和深體區(qū)圖形，環(huán)區(qū)圖形和深體區(qū)圖形形成光刻打開(kāi)區(qū)；B、對(duì)光刻打開(kāi)區(qū)進(jìn)行刻蝕，形成深體區(qū)及終端環(huán)；C、進(jìn)行高溫驅(qū)入，生長(zhǎng)二次氧化層；D、在有源區(qū)進(jìn)行VDMOS的原胞制作，二次氧化層的保留，為后續(xù)源區(qū)制作，減少1層光刻做準(zhǔn)備；E、生長(zhǎng)柵極氧化層，淀積多晶硅柵極；F、做多晶硅柵極的刻蝕，并刻透柵極氧化層，形成體區(qū)窗口來(lái)制作體區(qū)，之后再進(jìn)行多晶硅的摻雜，同時(shí)源區(qū)也進(jìn)行了制作；本發(fā)明在保證器件性能的前提下，減少一次光刻及深體區(qū)制作過(guò)程，來(lái)大幅降低成本，成本降低約20%，從而提升器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值。