一種降低溝槽型DMOS生產(chǎn)成本的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910770069.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110581071A 公開（公告）日 2019-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN110581071A 申請(qǐng)公布日 2019-12-17
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）; H01L29/78（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃澤軍; 張二雄; 劉厚超; 李何莉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 張曉會(huì)
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號(hào)長(zhǎng)園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低溝槽DMOS生產(chǎn)成本的方法，其特征在于，包括以下步驟，生長(zhǎng)介質(zhì)隔離層，并進(jìn)行退火回流處理，再進(jìn)行孔層光刻，刻蝕隔離介質(zhì)層至硅表面，然后去除光刻膠，采用30度角進(jìn)行源區(qū)注入；分4次進(jìn)行，每注入1次將硅晶片順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90度后進(jìn)行下一次注入，確保器件要形成的源區(qū)和終端N型區(qū)均可以被注入到；本發(fā)明在傳統(tǒng)的溝槽型DMOS工藝流程基礎(chǔ)上，開發(fā)新工藝流程，減少現(xiàn)有技術(shù)中F步驟中一次源區(qū)光刻層制作過程來大幅降低器件生產(chǎn)成本，并保持器件高性能，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值。