一種降低溝槽型DMOS生產成本的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910770069.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110581071A 公開（公告）日 2019-12-17
申請公布號 CN110581071A 申請公布日 2019-12-17
分類號 H01L21/336（2006.01）; H01L29/78（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃澤軍; 張二雄; 劉厚超; 李何莉 申請（專利權）人 深圳市銳駿半導體股份有限公司
代理機構 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 張曉會
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低溝槽DMOS生產成本的方法，其特征在于，包括以下步驟，生長介質隔離層，并進行退火回流處理，再進行孔層光刻，刻蝕隔離介質層至硅表面，然后去除光刻膠，采用30度角進行源區(qū)注入；分4次進行，每注入1次將硅晶片順時針旋轉90度后進行下一次注入，確保器件要形成的源區(qū)和終端N型區(qū)均可以被注入到；本發(fā)明在傳統(tǒng)的溝槽型DMOS工藝流程基礎上，開發(fā)新工藝流程，減少現有技術中F步驟中一次源區(qū)光刻層制作過程來大幅降低器件生產成本，并保持器件高性能，具有良好的市場應用價值。