用于制備難熔高熵合金靶材的CVD系統(tǒng)及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210093649.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114411113A 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114411113A 申請公布日 2022-04-29
分類號 C23C16/08（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐從康;賀濤;馬賽;王江涌;陳簫簫 申請（專利權(quán)）人 亞芯半導(dǎo)體材料（江蘇）有限公司
代理機構(gòu) 常州市權(quán)航專利代理有限公司 代理人 周潔
地址 213000 江蘇省常州市天寧區(qū)福陽路61號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于制備難熔高熵合金靶材的CVD系統(tǒng)及其控制方法，包括：蒸發(fā)區(qū)，用于對氟化物液體原材料蒸發(fā)得到氟化物氣化原材料；混氣區(qū)，用于連接蒸發(fā)區(qū)以接收氟化物氣化原材料，并與氫氣混合得到混合氣體；沉積區(qū)，用于連接混氣區(qū)以接收混合氣體，進行沉積制備難熔高熵合金靶材；尾氣處理區(qū)，用于連接混氣區(qū)和沉積區(qū)，將未反應(yīng)完全的氣體和副產(chǎn)物進行處理；本發(fā)明利用氟化物沸點低的特點，采用蒸發(fā)氟化物液體的方式除去其中大部分伴生雜質(zhì)，同時利用氫還原溫度低的特點，配合氟化物氣化原材料具有更好的提純效果，在熱力學(xué)驅(qū)動力的作用下能以更高的沉積速率形成晶體得到難熔高熵合金靶材。