一種低阻值高耐壓PTC熱敏電阻器制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011438206.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112670046A 公開(kāi)(公告)日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112670046A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類(lèi)號(hào) H01C17/00;H01C17/30;H01C7/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫叢錦;陳方權(quán) 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 成都順康三森電子有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中政聯(lián)科專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 李陽(yáng)
地址 611730 四川省成都市郫縣成都現(xiàn)代工業(yè)港北片區(qū)港北4路539號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低阻值高耐壓PTC熱敏電阻器制造方法,包括配料、噴霧造粒、成型、燒結(jié)、化學(xué)鍍鎳、外緣磨削、制備銀電極、耐壓篩選以及測(cè)量。本發(fā)明中,通過(guò)在BaTiO3PTC微晶材料中添加BP(BaPbO3)微晶,從而改變和優(yōu)化PTC材料性能,1)可正向移動(dòng)居里點(diǎn),BP移動(dòng)效率最高可達(dá)6.5℃/mol%;且最高添加量為3.0mol%。2)能顯著實(shí)現(xiàn)晶粒均勻細(xì)化及增加晶界勢(shì)壘層厚度,從而實(shí)現(xiàn)PTC材料在低阻化同時(shí)提高溫度系數(shù)與升阻比。