IGBT流體散熱器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020460859.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212033006U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212033006U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-27 |
| 分類號(hào) | H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 管軍凱;秦明禮;石磊;魯慧峰;何慶;王月隆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廈門鉅瓷科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 廈門鉅瓷科技有限公司 |
| 地址 | 361003福建省廈門市市頭路98號(hào)二層C室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種IGBT流體散熱器件，包括：氮化鋁陶瓷散熱單元，包括中空管道以及流經(jīng)所述中空管道的冷卻液介質(zhì)；銅金屬焊接層，間隔設(shè)置于所述中空管道的外表面；IGBT芯片，通過(guò)焊層焊接于所述銅金屬焊接層遠(yuǎn)離所述中空管道的表面；第一引線，焊接于所述IGBT芯片以及所述銅金屬焊接層之間；氮化鋁導(dǎo)熱樹脂層，覆蓋于所述銅金屬焊接層、所述IGBT芯片以及所述第一引線上；封裝層，封裝于所述氮化鋁導(dǎo)熱樹脂層的外表面；第二引線，其一端焊接于所述銅金屬焊接層上，另一端從所述封裝層中引出。?? |
