IGBT葉片散熱器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201821925192.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN209592020U | 公開(公告)日 | 2019-11-05 |
申請公布號 | CN209592020U | 申請公布日 | 2019-11-05 |
分類號 | H01L23/373(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 管軍凱; 秦明禮; 石磊; 魯慧峰; 何慶; 王月隆 | 申請(專利權(quán))人 | 廈門鉅瓷科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 廈門鉅瓷科技有限公司 |
地址 | 361003 福建省廈門市市頭路98號二層C室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種IGBT葉片散熱器件,包括:氮化鋁陶瓷散熱單元,包括氮化鋁陶瓷基板以及設(shè)置于所述氮化鋁陶瓷基板表面的多個氮化鋁陶瓷葉片;銅金屬焊接層,間隔設(shè)置于所述氮化鋁陶瓷基板的遠(yuǎn)離所述氮化鋁陶瓷葉片的表面;IGBT芯片,通過焊層焊接于所述銅金屬焊接層遠(yuǎn)離所述氮化鋁陶瓷葉片的表面;第一引線,焊接于所述IGBT芯片以及所述銅金屬焊接層之間;氮化鋁導(dǎo)熱樹脂層,覆蓋于所述銅金屬焊接層、所述IGBT芯片以及所述第一引線上;封裝層,封裝于所述氮化鋁導(dǎo)熱樹脂層的外表面;第二引線,其一端焊接于所述銅金屬焊接層上,另一端從所述封裝層中引出。 |
