一種硅基異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910042743.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101488537B 公開(kāi)（公告）日 2010-08-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN101488537B 申請(qǐng)公布日 2010-08-04
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬(wàn)青;周棋;趙斌;易宗鳳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南瀟湘神光新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市融智專利事務(wù)所 代理人 鄧建輝
地址 410082 湖南省長(zhǎng)沙市河西麓山南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法，步驟包括：1)采用PECVD、等離子體增強(qiáng)物理氣相沉積技術(shù)在透明導(dǎo)電玻璃上沉積一層厚度小于100納米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅質(zhì)量百分比30％-90％的比例，混合高純P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料單體得到復(fù)合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工藝在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一層厚度適當(dāng)?shù)腜型硅/塑料復(fù)合薄膜或N型硅/塑料復(fù)合薄膜；4)最后采用真空蒸發(fā)、濺射工藝制作鋁背電極或銀背電極，形成多晶硅/非晶硅異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池。本發(fā)明避免了大顆粒多晶硅薄膜難于直接沉積的難點(diǎn)，成本低廉，工藝簡(jiǎn)單，且光電轉(zhuǎn)換效率高，具有廣泛的產(chǎn)業(yè)化價(jià)值。