銅銦鎵硒薄膜及其制備方法、裝置、太陽(yáng)能電池
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811216853.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109273544A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-01-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109273544A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-25 |
分類號(hào) | H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 來(lái)霸;衛(wèi)成剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 華夏易能(南京)新能源有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京尚倫律師事務(wù)所 | 代理人 | 華夏易能(南京)新能源有限公司 |
地址 | 210000 江蘇省南京市南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)疏港路1號(hào)龍?zhí)段锪骰谹-29號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明關(guān)于一種銅銦鎵硒薄膜及其制備方法、裝置、太陽(yáng)能電池。該方法包括:在惰性氣體的等離子體環(huán)境下,對(duì)帶鉬膜的襯底蒸發(fā)硒;蒸發(fā)硒過(guò)程中,對(duì)襯底施以第一偏置電壓值,使惰性氣體的等離子體形成等離子體荷能粒子并轟擊襯底上的硒原子;在對(duì)襯底施加的偏置電壓從第一偏置電壓值降至第二偏置電壓值的過(guò)程中,共蒸發(fā)銦、鎵和硒,使等離子體荷能粒子轟擊襯底上的銦原子、鎵原子和硒原子;共蒸發(fā)銅和硒,得到富銅的薄膜;在對(duì)襯底施以第三偏置電壓值,且在具有惰性氣體的等離子體環(huán)境下,共蒸發(fā)銦、鎵和硒,使等離子體荷能粒子轟擊襯底上的銦原子、鎵原子和硒原子,得到富銦的銅銦鎵硒薄膜。該技術(shù)方案可獲得晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)良、缺陷少的銅銦鎵硒薄膜。 |
