一種低鎘CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510453849.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105118883B 公開(kāi)（公告）日 2017-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN105118883B 申請(qǐng)公布日 2017-04-26
分類號(hào) H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫合成;王奇;于化叢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華夏易能（南京）新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 李紀(jì)昌;曹翠珍
地址 210042 江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)疏港路1號(hào)龍?zhí)段锪骰谹-29號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低鎘CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法，該薄膜太陽(yáng)能電池由下至上依次包括襯底、背電極、CIGS吸收層、CdS層和上電極，所述CIGS吸收層表面的Cu原子被Cd原子部分置換形成表面改性層，所述CdS層的厚度為20?35nm。制備方法包括如下工序：a，在襯底上沉積背電極；b，在背電極上沉積CIGS吸收層；c，在CIGS吸收層上沉積CdS層；d，在CdS層表面沉積上電極；所述步驟c在沉積CdS層之前，還包括對(duì)CIGS表面進(jìn)行改性處理的工序。本發(fā)明在維持CIGS電池整體高轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)，大大降低了CdS層厚度，大幅度降低了整個(gè)電池組件的Cd含量。