芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111091964.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113808956A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113808956A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01Q1/22（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳政達(dá) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都奕成集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳萬(wàn)藝 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新區(qū)尚陽(yáng)路12號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，通過(guò)在對(duì)射頻芯片進(jìn)行封裝過(guò)程形成天線(xiàn)結(jié)構(gòu)時(shí)，在第一天線(xiàn)層上形成第三塑封層作為電介質(zhì)層，然后在第三塑封層上通過(guò)光刻的方式形成半導(dǎo)體材料的第二天線(xiàn)層。如此，可以更精確地控制第二天線(xiàn)層中各第二天線(xiàn)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的形成位置，從而使第二天線(xiàn)層中的第二天線(xiàn)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)和第一天線(xiàn)層中的第一天線(xiàn)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)能夠精準(zhǔn)對(duì)位，保證了射頻芯片的工作信號(hào)帶寬。 |
