一種金屬有機物化學氣相沉積設備的中央支柱
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201020546826.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN202139293U | 公開(公告)日 | 2012-02-08 |
申請公布號 | CN202139293U | 申請公布日 | 2012-02-08 |
分類號 | C23C14/44(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 李剛;李可;王小舉 | 申請(專利權)人 | 上海永勝半導體設備有限公司 |
代理機構 | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 | 代理人 | 上海藍寶光電材料有限公司 |
地址 | 201616 上海市松江區(qū)文俊路2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開一種金屬有機物化學氣相沉積設備(MOCVD)的中央支柱,包括:中央支柱體(1)、設置在中央支柱體(1)內(nèi)的導流螺桿(2)、密封中央支柱體(1)和導流螺桿(2)的上蓋(7)、固定在上蓋(7)上的進水管(5)和出水管(6)、以及與中央支柱體(1)上部固定連接的反應腔頂蓋(4);導流螺桿(2)與中央支柱體(1)之間設有與進水管(5)連通的冷卻流道,導流螺桿(2)的中間設有與出水管(6)連通的中間水槽,在導流螺桿(2)的下端設有連通冷卻流道和中間水槽的出水槽。該中央支柱體組裝完成后起到支撐腔體頂蓋(4)的作用,解決了MOCVD工作過程中腔體頂蓋(4)由于高溫產(chǎn)生的形變,不僅延長了腔體頂蓋(4)的壽命問題,也保證了MOCVD工作過程由于形變對氣流空間造成的不利影響,保證了生長環(huán)境的一致性。 |
