一種用于抗單粒子翻轉(zhuǎn)存儲器的可選位寬糾檢錯電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911167032.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110931074B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN110931074B 申請公布日 2021-09-28
分類號 G11C29/42（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 陳雷;劉亞澤;王文鋒;李學(xué)武;孫華波;孫健爽;郭琨;倪劼;赫彩;甄淑奇 申請（專利權(quán)）人 北京時代民芯科技有限公司
代理機構(gòu) 中國航天科技專利中心 代理人 張輝
地址 100076北京市豐臺區(qū)東高地四營門北路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于抗單粒子翻轉(zhuǎn)存儲器的可選位寬糾檢錯電路，包括糾檢錯編碼模塊和糾檢錯解碼模塊；糾檢錯編碼模塊能夠?qū)?1～64位寬的輸入數(shù)據(jù)進行校驗碼編碼操作，生成用于對數(shù)據(jù)進行糾檢錯的8位校驗碼，和輸入數(shù)據(jù)一起輸出給糾檢錯解碼模塊；糾檢錯解碼模塊對數(shù)據(jù)信號進行解碼校驗，當數(shù)據(jù)信號中存在一位錯誤時輸出一位錯誤提示以及錯誤位置，并對錯誤進行糾正，當數(shù)據(jù)信號中存在兩位錯誤時輸出兩位錯誤提示。本發(fā)明能夠使用較少電路面積，在不占用過多的數(shù)據(jù)位寬前提下實現(xiàn)對11～64位數(shù)據(jù)的校驗和糾檢錯，配合耐多位單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲器結(jié)構(gòu)實現(xiàn)對存儲器抗單粒子翻轉(zhuǎn)指標的提升，并可根據(jù)用戶需求選擇啟用糾錯和檢錯功能或只啟用其中之一，實現(xiàn)更好的靈活性。