高頻發(fā)生電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021949769.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213072609U 公開(kāi)（公告）日 2021-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN213072609U 申請(qǐng)公布日 2021-04-27
分類號(hào) H03K17/687 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 趙雙盟;馮志剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川長(zhǎng)虹電子部品有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所（普通合伙） 代理人 吳中偉
地址 622651 四川省綿陽(yáng)市安州工業(yè)園區(qū)科興路四川長(zhǎng)虹電子部品有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及高頻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高頻發(fā)生電路，能夠根據(jù)實(shí)際需要輸出高頻正弦波，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低，易于操作。本實(shí)用新型高頻發(fā)生電路，包括第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管、第一二極管、第二二極管、第一電容以及第一電感，第一N溝道MOS管以及第二N溝道MOS管的柵極與外部電源連接，源極接地，第一N溝道MOS管的漏極與第一二極管的陰極連接，第一二極管的陽(yáng)極與第二N溝道MOS管的柵極連接，第二N溝道MOS管的漏極與第二二極管的陰極連接，第二二極管的陽(yáng)極與第一N溝道MOS管的柵極連接，第一電容以及第一電感的兩端分別與第一溝道MOS管以及第二N溝道MOS管的漏極連接。本實(shí)用新型適用于高頻發(fā)生設(shè)備。