一種鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010696268.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112649483A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112649483A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號(hào) | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 申貴雋;杜宇;丁利葳;季楊楊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 大連誠(chéng)澤檢測(cè)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116630遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)光悅路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 該發(fā)明以鄰苯二胺為功能單體、鹽酸克倫特羅（CLB）為模板、體積配比為1:2的乙腈與去離子水的混合液為洗脫劑，在以玻碳電極為工作電極、鉑絲電極為對(duì)電極，飽和Ag/AgCl電極為參比電極的三電極系統(tǒng)中，采用循環(huán)伏安（CV）法掃描20圈。該模板分子經(jīng)過(guò)洗脫后，使玻碳電極表面形成了CLB分子印跡的聚合物修飾膜，即CLB分子印跡電化學(xué)傳感器。以該傳感器為工作電極對(duì)CLB實(shí)施了電化學(xué)測(cè)定。結(jié)果表明，在5mol·L?1 K3[Fe(CN)6]溶液中，該傳感器的DPV峰電流與CLB濃度在2.02×10?8～2.19×10?6 mol·L?1范圍內(nèi)有良好的線性關(guān)系。通過(guò)對(duì)三種與CLB結(jié)構(gòu)類似的干擾物選擇性實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明該傳感器的選擇性能良好。?? |
