一種高硼摻雜P型襯底TVS器件外延片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821665467.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN208722885U 公開(kāi)（公告）日 2019-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN208722885U 申請(qǐng)公布日 2019-04-09
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I; H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱軍; 楊敏紅; 單慧; 劉韻吉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 桑德斯微電子器件（南京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 211113 江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)緯七路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高硼摻雜P型襯底TVS器件的外延片，在TVS器件外延片的P++襯底上設(shè)有氧化層加多晶硅層作為外延片襯底背面的密封材料，氧化層為二氧化硅，在P++襯底材料上進(jìn)行熱氧化生成，二氧化硅層的厚度在0.1?1.5微米；在二氧化硅層表面設(shè)有多晶硅層，多晶硅的厚度在0.1?2.0微米。