一種高磷摻雜N型截止環(huán)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010126659.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111312803A 公開（公告）日 2020-06-19
申請公布號 CN111312803A 申請公布日 2020-06-19
分類號 H01L29/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 胡明輝;楊敏紅;單慧;劉韻吉 申請（專利權(quán)）人 桑德斯微電子器件（南京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 211113江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)神舟路17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高磷摻雜N型截止環(huán)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，以N型半導(dǎo)體為基片，基片上形成N?外延層，N?外延層上為陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層；其特征是，在肖特基二極管劃片道注入了磷離子。截止環(huán)設(shè)計(jì)在劃片道內(nèi)或外，截止環(huán)寬度應(yīng)大于原有的劃片道寬度。在截止環(huán)腐蝕完成后安排磷離子注入，這時(shí)表面除了截止環(huán)打開，其余部分皆被光刻膠覆蓋，磷離子注入，在半導(dǎo)體的表面達(dá)到最大濃度。??