一種高壓快恢復(fù)二極管芯片生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410551171.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104332503B 公開（公告）日 2019-01-25
申請公布號 CN104332503B 申請公布日 2019-01-25
分類號 H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫瀾;單慧;朱軍;劉韻吉;楊敏紅 申請（專利權(quán)）人 桑德斯微電子器件（南京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京知識律師事務(wù)所 代理人 桑德斯微電子器件（南京）有限公司
地址 211113 江蘇省南京市江寧區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯七路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高壓快恢復(fù)二極管芯片生產(chǎn)工藝，屬于半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域。一種高壓快恢復(fù)二極管芯片，包括芯片、N+截止環(huán)、表面特殊鈍化層和P+陽極，所述的芯片為快恢復(fù)二極管芯片；芯片截層從下向上依次為芯片、N+截止環(huán)、表面特殊鈍化層和P+陽極。特殊鈍化層包含電場限制環(huán)。芯片生產(chǎn)工藝采用電場限制環(huán)的方法，成功調(diào)制快恢復(fù)二極管表面電場，在同樣條件下，增加了快恢復(fù)二極管的耐壓；采用特殊表面鈍化層，中和氧化層中表面電荷，提高了快恢復(fù)二極管耐壓的穩(wěn)定性，降低了反向漏電流。它具有開關(guān)損耗低，擊穿電壓高，漏電流小，反向功耗少的優(yōu)點，增強(qiáng)了二極管的耐壓穩(wěn)定性及可靠性，延長了二極管的壽命。