半導體發(fā)光元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122861722.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216120333U 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN216120333U 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王東山;王思博;廖漢忠 申請（專利權）人 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
代理機構 淮安市科文知識產權事務所 代理人 廖娜;李鋒
地址 223005江蘇省淮安市清河新區(qū)景秀路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及發(fā)光二極管領域，公開了一種半導體發(fā)光元件，包括從下至上依次設置的襯底、具有PN臺階的外延層、第一電極層、第一絕緣層和第二電極層；第一電極層包括至少一個第一P型電極和至少一個第一N型電極；第二電極層包括至少一個第二P型電極和至少一個第二N型電極；第一與第二P型電極電性連接，第一與第二N型電極電性連接；第二P型電極的臨近N型半導體層外緣的外側面上設置有至少一個用于減小所述第二電極層面積的內凹部。本申請在保證第一和第二P型電極正常的電性連接的情況下，通過在第二P型電極臨近N型半導體層外緣的外側面上設置內凹部，實現減小第二電極層的面積，提高芯片的反射率，從而提高芯片整體亮度。