一種新型發(fā)光二極管量子阱及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811022466.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109300853B | 公開（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109300853B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-15 |
| 分類號(hào) | H01L21/86（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫旭東;祝光輝;任亮亮;曾海軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人 | 李鋒 |
| 地址 | 223001江蘇省淮安市景秀路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型發(fā)光二極管量子阱及制備方法，包括藍(lán)寶石襯底以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、多量子阱結(jié)構(gòu)以及p型氮化鎵層；所述多量子阱結(jié)構(gòu)包括5～15個(gè)周期量子阱結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)單元包括純氮?dú)猸h(huán)境生長(zhǎng)的銦鎵氮量子阱區(qū)、純氮?dú)猸h(huán)境生長(zhǎng)的AlxGa1?xN Cap區(qū)以及純氫氣環(huán)境生長(zhǎng)的AlmGa1?mN量子壘區(qū)。本發(fā)明純氮?dú)猸h(huán)境生長(zhǎng)的銦鎵氮量子阱區(qū)與AlxGa1?xN Cap區(qū)，得到銦組分摻雜良好的銦鎵氮量子阱區(qū)。純氫氣環(huán)境下生長(zhǎng)的AlmGa1?mN量子壘區(qū)，生長(zhǎng)缺陷少，晶體質(zhì)量得到改善。 |
