一種基于絕緣體上硅的低應(yīng)力硅基厚膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010705386.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111747377A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111747377A 申請公布日 2020-10-09
分類號 B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 方青;胡鶴鳴;邵瑤;張馨丹;顧苗苗;陳華;陳曉峰 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱眾達電子有限公司
代理機構(gòu) 昆明人從眾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 昆明理工大學(xué);國網(wǎng)上海能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;哈爾濱眾達電子有限公司
地址 650093云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號（昆明理工大學(xué)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種基于絕緣體上硅的低應(yīng)力硅基厚膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述低應(yīng)力硅基厚膜包括襯底硅層、硅氧化物層，包覆層和硅基厚膜層，襯底硅層上設(shè)有硅氧化物層，硅氧化物層上沉積有硅基厚膜層，硅基厚膜層上設(shè)有網(wǎng)格狀溝槽，網(wǎng)格狀溝槽將硅基薄膜分割成數(shù)個獨立單元，網(wǎng)格狀溝槽內(nèi)填充有包覆層；本發(fā)明所述硅基厚膜可以改善厚膜內(nèi)部所受應(yīng)力不均勻的情況，減小厚膜應(yīng)力，增大了所沉積的厚膜的最大厚度，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的大規(guī)模生產(chǎn)。??