一種基于絕緣體上硅的低應(yīng)力硅基厚膜及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010705386.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111747377A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111747377A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-09 |
| 分類號(hào) | B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 方青;胡鶴鳴;邵瑤;張馨丹;顧苗苗;陳華;陳曉峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 哈爾濱眾達(dá)電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 昆明人從眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 昆明理工大學(xué);國(guó)網(wǎng)上海能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;哈爾濱眾達(dá)電子有限公司 |
| 地址 | 650093云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號(hào)（昆明理工大學(xué)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種基于絕緣體上硅的低應(yīng)力硅基厚膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述低應(yīng)力硅基厚膜包括襯底硅層、硅氧化物層，包覆層和硅基厚膜層，襯底硅層上設(shè)有硅氧化物層，硅氧化物層上沉積有硅基厚膜層，硅基厚膜層上設(shè)有網(wǎng)格狀溝槽，網(wǎng)格狀溝槽將硅基薄膜分割成數(shù)個(gè)獨(dú)立單元，網(wǎng)格狀溝槽內(nèi)填充有包覆層；本發(fā)明所述硅基厚膜可以改善厚膜內(nèi)部所受應(yīng)力不均勻的情況，減小厚膜應(yīng)力，增大了所沉積的厚膜的最大厚度，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的大規(guī)模生產(chǎn)。?? |
