Ge光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010718274.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111785791A 公開（公告）日 2020-10-16
申請公布號 CN111785791A 申請公布日 2020-10-16
分類號 H01L31/024(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方青;張馨丹;邵瑤;胡鶴鳴;顧苗苗;陳華;張志群;陳曉峰 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱眾達電子有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 昆明理工大學;國網(wǎng)上海能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;哈爾濱眾達電子有限公司
地址 650000云南省昆明市一二一大街文昌路68號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種Ge光電探測器及其制備方法，其中，Ge光電探測器包括熱源層，進一步的還包括導熱層；從而通過具有高阻值的熱源層作為熱源，以升高Ge吸收層的溫度，使得Ge吸收層的禁帶寬度降低，從而使得能量低于原Ge吸收層禁帶寬度的光子被吸收，以增大Ge吸收層的吸收系數(shù)，實現(xiàn)Ge光電探測器探測范圍的延伸，以擴大應(yīng)用范圍，以及通過位于Ge吸收層與熱源層之間的具有較高熱導率的導熱層，有效地將熱源層產(chǎn)生的熱源傳遞到Ge吸收層，從而有效調(diào)整Ge光電探測器的響應(yīng)度；因此，本發(fā)明可提供一種制備工藝簡單，且可有效提高Ge光電探測器在長波長條件下的吸收系數(shù)，以擴大Ge光電探測器的探測范圍及應(yīng)用范圍。??