Ge光電探測(cè)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021470805.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212257412U | 公開（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212257412U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-29 |
| 分類號(hào) | H01L31/024(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 方青;張馨丹;邵瑤;胡鶴鳴;顧苗苗;陳華;張志群;陳曉峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 哈爾濱眾達(dá)電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 昆明理工大學(xué);國(guó)網(wǎng)上海能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;哈爾濱眾達(dá)電子有限公司 |
| 地址 | 650000云南省昆明市一二一大街文昌路68號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種Ge光電探測(cè)器，其中，Ge光電探測(cè)器包括熱源層，進(jìn)一步的還包括導(dǎo)熱層；從而通過具有高阻值的熱源層作為熱源，以升高Ge吸收層的溫度，使得Ge吸收層的禁帶寬度降低，從而使得能量低于原Ge吸收層禁帶寬度的光子被吸收，以增大Ge吸收層的吸收系數(shù)，實(shí)現(xiàn)Ge光電探測(cè)器探測(cè)范圍的延伸，以擴(kuò)大應(yīng)用范圍，以及通過位于Ge吸收層與熱源層之間的具有較高熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱層，有效地將熱源層產(chǎn)生的熱源傳遞到Ge吸收層，從而有效調(diào)整Ge光電探測(cè)器的響應(yīng)度；因此，本實(shí)用新型可提供一種制備工藝簡(jiǎn)單，且可有效提高Ge光電探測(cè)器在長(zhǎng)波長(zhǎng)條件下的吸收系數(shù)，以擴(kuò)大Ge光電探測(cè)器的探測(cè)范圍及應(yīng)用范圍。?? |
