一種PERC電池的背面結(jié)構(gòu)層
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022740909.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213752720U | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
申請公布號 | CN213752720U | 申請公布日 | 2021-07-20 |
分類號 | H01L31/0216 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張士成;童銳 | 申請(專利權(quán))人 | 南通蘇民新能源科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 董建林 |
地址 | 226300 江蘇省南通市通州灣江海聯(lián)動開發(fā)示范區(qū)扶海路99號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種PERC電池的背面結(jié)構(gòu)層,包括依次沉積在硅片背面的氧化鋁膜層、SiNx結(jié)構(gòu)層和鋁膜層,其中所述的SiNx結(jié)構(gòu)層為分層結(jié)構(gòu),按從氧化鋁膜層到鋁膜層的方向由順次設置的M層具有不同折射率和膜厚的SiNx分層膜組成。本實用新型通過對晶硅PERC電池背面的SiNx結(jié)構(gòu)層采用多層結(jié)構(gòu)層的設計,在靠近氧化鋁層選用折射率等于或低于2.03的氮化硅膜,將高折射率的氮化硅膜置于中間位置,在保證對長波長反射的同時提高該層SiNx對硅片的氫鈍化效果,并且將靠近鋁膜層的各層SiNx膜采用折射率由高至低降變的設計方法,同樣在保證增加電池對長波光子的吸收的同時避免背面鋁漿的侵蝕。 |
