一種增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201780052620.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110100313B | 公開（公告）日 | 2019-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110100313B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-08-06 |
| 分類號(hào) | H01L29/778(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 程凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海浦東發(fā)展銀行股份有限公司蘇州分行 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孟潭 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制造方法，解決了現(xiàn)有增強(qiáng)型開關(guān)器件的制造工藝復(fù)雜以及穩(wěn)定性和可靠性差的問題。其中的增強(qiáng)型開關(guān)器件包括：襯底(1)；依次設(shè)于所述襯底(1)上的溝道層(23)以及勢(shì)壘層(24)；形成于所述勢(shì)壘層(24)上的n型半導(dǎo)體層(3)，所述n型半導(dǎo)體層(3)的表面上定義有柵極區(qū)域；形成于所述柵極區(qū)域且至少部分貫穿所述n型半導(dǎo)體層(3)的凹槽(4)；以及形成于所述n型半導(dǎo)體層(3)表面并至少填充所述凹槽(4)內(nèi)部的p型半導(dǎo)體材料(5)。?? |
