半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910973559.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN110707115B 公開(kāi)(公告)日 2022-06-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN110707115B 申請(qǐng)公布日 2022-06-17
分類(lèi)號(hào) H01L27/146(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 余興;蔣維楠 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 浙江清華長(zhǎng)三角研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)隆興路118號(hào)內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:第一基底,所述第一基底具有非感應(yīng)面,所述第一基底包括圖像傳感區(qū)和微機(jī)電系統(tǒng)區(qū),所述圖像傳感區(qū)內(nèi)具有圖像傳感器,所述微機(jī)電系統(tǒng)區(qū)內(nèi)具有微機(jī)電系統(tǒng)器件;與所述第一基底鍵合的第二基底,所述非感應(yīng)面朝向所述第二基底,所述第二基底包括存儲(chǔ)區(qū),所述存儲(chǔ)區(qū)在所述第一基底表面具有第一投影,所述圖像傳感區(qū)在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范圍內(nèi),且所述微機(jī)電系統(tǒng)區(qū)在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范圍內(nèi)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠增加單個(gè)芯片功能、減少芯片的占用面積、提高芯片的集成度并且降低芯片的成本。