耗盡型溝槽晶體管及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210346331.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114639608A 公開（公告）日 2022-06-17
申請公布號(hào) CN114639608A 申請公布日 2022-06-17
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 晉虎;萬欣;鄧輝;張辰晨;楊春益 申請（專利權(quán)）人 浙江清華長三角研究院
代理機(jī)構(gòu) 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 314000浙江省嘉興市南湖區(qū)亞太路705號(hào)16FA16-12室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種耗盡型溝槽晶體管及其形成方法，所述形成方法包括：提供襯底；在所述襯底內(nèi)形成第一溝槽；在所述襯底內(nèi)形成自所述襯底表面向襯底內(nèi)部延伸的摻雜體區(qū)和位于所述摻雜體區(qū)表面內(nèi)的源極摻雜層，所述摻雜體區(qū)位于所述第一溝槽兩側(cè)；對(duì)所述第一溝槽側(cè)壁表面進(jìn)行摻雜，形成位于所述摻雜體區(qū)內(nèi)的反型層；形成至少覆蓋所述第一溝槽側(cè)壁表面的柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層覆蓋所述反型層表面；形成填充滿所述第一溝槽且位于所述柵介質(zhì)層表面的第一柵極。上述方法有利于提高形成的耗盡型溝槽晶體管的性能。