一種提高熔斷時(shí)間精度的熔斷器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021950735.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN213093168U | 公開(公告)日 | 2021-04-30 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN213093168U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-30 |
分類號(hào) | H01H85/08 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 楊漫雪;鄧琪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南京薩特科技發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張弛 |
地址 | 210049 江蘇省南京市棲霞區(qū)青馬路9號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種提高熔斷時(shí)間精度的熔斷器,包括基體、電極、熔體、覆蓋于熔體上方的保護(hù)層;所述熔體為扁平形狀,且熔體的表面中間位置設(shè)有修阻部位,通過設(shè)置修阻部位而改變?nèi)蹟嗥鞯淖柚悼煽刂迫蹟嗥鞯淖柚稻确秶?,且修阻后的熔體由于具有固定的發(fā)熱位置,使熔斷器在2.5倍及以下額定電流的異常電流下,熔斷時(shí)間范圍得可達(dá)到5秒以內(nèi)。同時(shí),經(jīng)過修阻后,熔體表面形成凹槽,在通電發(fā)熱時(shí)熔體發(fā)熱點(diǎn)集中于修阻位置,該位置最先熔斷,因此可有效控制熔體的熔斷位置。 |
