一種薄膜型熔斷器及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911074381.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110828243B 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN110828243B 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊漫雪;鄧琪 申請（專利權）人 南京薩特科技發(fā)展有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 210049 江蘇省南京市棲霞區(qū)青馬路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜型熔斷器，包括基體、熔斷體、電極；所述熔斷體為金屬片形并貼合在基體上，熔斷體即便較為微型，基體也能夠作為熔斷體的支撐，使熔斷體的形狀加工易控制，可以精確控制熔體厚度和圖形，從而實現(xiàn)更小電流規(guī)格的熔斷器的制造。且制造該熔斷器的制造方法簡單可行，通過簡單薄膜工藝即可完成。