一種PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123071472.0 申請日 -
公開（公告）號 CN216919399U 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN216919399U 申請公布日 2022-07-08
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李時俊;楊寶立;張數(shù)俊 申請（專利權(quán)）人 深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 518118廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值乐窨由鐓^(qū)金牛東路62號一層至六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種PECVD設(shè)備。該PECVD設(shè)備，包括反應(yīng)爐，反應(yīng)爐的一端設(shè)有排氣端蓋；排氣端蓋上設(shè)有若干個淋氣管，淋氣管為陣列式分布；淋氣管上設(shè)有若干個噴氣孔；噴氣孔的相鄰間距相等；噴氣孔的孔徑依次增大。通過該PECVD設(shè)備中通過在排氣端蓋側(cè)設(shè)置淋氣管控制反應(yīng)爐中氣體的均勻程度，從而使制得的Si3N4薄膜厚度更均勻。