LDMOSFET的制作方法及結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210414986.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114512407B 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114512407B 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 申請（專利權(quán)）人 北京智芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營西路79號院中科云谷園11號樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及MOSFET制作技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種LDMOSFET的制作方法及結(jié)構(gòu)。其中LDMOSFET的制作方法包括：包括在襯底上形成第一阱區(qū)和與所述第一阱區(qū)導(dǎo)電類型不同的第二阱區(qū)，還包括：在所述第一阱區(qū)上形成體區(qū)和與所述體區(qū)相鄰的漂移區(qū)，在所述漂移區(qū)中形成硅局部氧化隔離區(qū)；將所述硅局部氧化隔離區(qū)氧化后形成空腔，在所述空腔下方的漂移區(qū)內(nèi)形成與所述空腔不連通的離子注入?yún)^(qū)；在所述體區(qū)與所述漂移區(qū)的相鄰界面的上方形成柵極，所述柵極在所述漂移區(qū)一側(cè)延伸至被填充的空腔上方，在所述第一阱區(qū)形成源極和漏極。本實(shí)施方式具有簡便實(shí)用，工藝兼容性好的優(yōu)點(diǎn)。