一種基于二次取向控制的單晶高溫合金薄壁鑄件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010222079.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111360234B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN111360234B 申請公布日 2021-08-03
分類號 B22D27/04（2006.01）I;B22C9/04（2006.01）I 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 裴延玲;胡斌;李樹索;宮聲凱 申請（專利權(quán)）人 北航（四川）西部國際創(chuàng)新港科技有限公司
代理機構(gòu) 北京高沃律師事務所 代理人 馬小星
地址 610015四川省成都市天府新區(qū)湖畔路北段366號1棟3樓1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及高溫合金技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于二次取向控制的單晶高溫合金薄壁鑄件及其制備方法。采用本發(fā)明的方法可以制備出不同一次取向與二次取向的單晶高溫合金薄壁鑄件，同時能夠防止產(chǎn)生雜晶。本發(fā)明制備基于二次取向控制的單晶高溫合金薄壁鑄件，通過研究合金二次取向下的薄壁效應進而選擇性能最優(yōu)的三維晶體取向材料制備單晶高溫合金葉片，對于提高單晶高溫合金葉片的使用壽命具有重要意義。