一種改進的CVD設(shè)備、以及用改進的CVD設(shè)備實現(xiàn)共滲沉積鋁硅涂層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110147304.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112981368A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112981368A 申請公布日 2021-06-18
分類號 C23C16/44;C23C16/42;C23C16/56;C23C12/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 彭徽;于海原;畢曉昉;張恒 申請（專利權(quán)）人 北航（四川）西部國際創(chuàng)新港科技有限公司
代理機構(gòu) 北京永創(chuàng)新實專利事務(wù)所 代理人 冀學軍
地址 610000 四川省成都市天府新區(qū)成都直管區(qū)正興鎮(zhèn)涼風頂村3組303號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改進的CVD設(shè)備、以及用改進的CVD設(shè)備實現(xiàn)共滲沉積鋁硅涂層的制備方法；本發(fā)明設(shè)計的應(yīng)用于鋁硅共滲涂層制備的改進CVD設(shè)備，其包括反應(yīng)氣供氣單元、改進CVD單元和廢氣處理單元。沉積反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有一區(qū)和二區(qū)的不同溫度環(huán)境。應(yīng)用改進的CVD設(shè)備進行改進CVD工藝加工時，一區(qū)溫度場進行化學氣相沉積，二區(qū)溫度場進行原位真空擴散退火。采用本發(fā)明改進的CVD設(shè)備并配合本發(fā)明改進CVD工藝在渦輪發(fā)動機熱端部件上共滲沉積鋁硅涂層，制得的共滲沉積鋁硅涂層在1150℃、100h氧化增重為1.5mg/cm2～3.5mg/cm2，抗氧化能力高。