一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620612815.X 申請日 -
公開（公告）號 CN205752179U 公開（公告）日 2016-11-30
申請公布號 CN205752179U 申請公布日 2016-11-30
分類號 H01L29/40;H01L27/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹創(chuàng)發(fā) 申請（專利權(quán)）人 深圳市快星半導(dǎo)體電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 侯蔚寰
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)中航苑鼎誠大廈2708
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，包括多段浮空場板和功率芯片，多段浮空場板的下表面焊接有底板，功率芯片包括結(jié)型場效應(yīng)晶體管和結(jié)型勢壘肖特基二極管，結(jié)型場效應(yīng)晶體管包括P型溝道區(qū)、N型漂移區(qū)和陰極P型體區(qū)，P型溝道區(qū)的左邊N型漂移區(qū)引出有陽極N+區(qū)，右邊N型漂移區(qū)引出發(fā)射極N+區(qū)；結(jié)型勢壘肖特基二極管包括N型基片和陽極金屬，N型基片和陽極金屬之間填充有N 外延層；結(jié)型場效應(yīng)晶體管和結(jié)型勢壘肖特基二極管均連接有陰極金屬層；多段浮空場板的兩側(cè)刻蝕有深溝刻槽，中心蝕刻有中心區(qū)槽，陰極P型體區(qū)兩側(cè)填接有P型柱體；結(jié)型勢壘肖特基二極管的N型基片與陰極金屬層之間墊襯有N+陰極層。