提高Ⅲ族氮化物發(fā)光效率的LED量子阱結(jié)構(gòu)及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810124467.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101355127A 公開（公告）日 2009-01-28
申請公布號 CN101355127A 申請公布日 2009-01-28
分類號 H01L33/00(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝自力;張榮;韓平;修向前;陳鵬;陸海;劉斌;顧書林;施毅;鄭有炓 申請（專利權(quán)）人 揚州隆耀光電科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 代理人 南京大學(xué)
地址 210093江蘇省南京市漢口路22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高III族氮化物L(fēng)ED發(fā)光效率的量子阱結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)寶石襯底層(6)，緩沖層(5)，過渡層(4)，N型導(dǎo)電層(3)，量子阱結(jié)構(gòu)層(2)，P型導(dǎo)電層(1)以及電極層(7)；襯底層(6)上依次為GaN構(gòu)成的緩沖層(5)，GaN構(gòu)成的過渡層(4)，N型GaN構(gòu)成的N型導(dǎo)電層(3)，InGaN/AlGaInN交替構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)層(2)，P型GaN構(gòu)成的P型導(dǎo)電層(1)以及電極層(7)。量子阱結(jié)構(gòu)層(2)是5－10個周期且層厚分別為5－20nm/15－40nm的InGaN/AlGaInN量子阱結(jié)構(gòu)層。