一種GaN基發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910194799.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102005512A 公開（公告）日 2011-04-06
申請公布號 CN102005512A 申請公布日 2011-04-06
分類號 H01L33/00(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李剛;劉慰華;丁成;張義穎 申請（專利權(quán)）人 揚(yáng)州隆耀光電科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海市華誠律師事務(wù)所 代理人 上海藍(lán)寶光電材料有限公司
地址 201616 上海市松江區(qū)文俊路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種GaN基發(fā)光二極管及其制造方法，其中，這種GaN基發(fā)光二極管的制造方法包括：在襯底上依次形成本征氮化鎵層、n型氮化鎵層、n型氮化鎵銦層、發(fā)光層、p型氮化鎵鋁層和第一p型氮化鎵層，該方法還包括：在第一p型氮化鎵層上形成異質(zhì)預(yù)處理層；和在異質(zhì)預(yù)處理層上形成第二p型氮化鎵層。