IGBT半橋模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920161495.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209374447U 公開（公告）日 2019-09-10
申請公布號 CN209374447U 申請公布日 2019-09-10
分類號 H01L25/18（2006.01）I; H01L23/498（2006.01）I; H01L23/492（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢進; 軒永輝 申請（專利權(quán)）人 杭州達新科技有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達新半導(dǎo)體有限公司; 杭州達新科技有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種IGBT半橋模塊，包括：底板、芯片單元、陶瓷覆銅板、功率端子、信號端子和信號端子座；芯片單元包括IGBT芯片和FRD芯片；信號端子包括柵極信號端子和發(fā)射極信號端子，信號端子都直接焊接在陶瓷覆銅板上，IGBT芯片的柵極通過鋁線鍵合在陶瓷覆銅板上并引出到對應(yīng)的柵極信號端子上，IGBT芯片的發(fā)射極通過鋁線鍵合在陶瓷覆銅板上并引出到對應(yīng)的發(fā)射極信號端子上；陶瓷覆銅板直接焊接在所述底板上；信號端子支撐在對應(yīng)的信號端子座上。本實用新型能實現(xiàn)在制造或使用過程中提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。