一種非制冷紅外焦平面陣列讀出電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910305921.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111829670B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN111829670B 申請公布日 2021-09-21
分類號 G01J5/24（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉俊;何佳 申請（專利權(quán)）人 杭州?？滴⒂皞鞲锌萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林祥
地址 311501浙江省杭州市桐廬縣桐廬經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)求是路299號A1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本說明書提供一種非制冷紅外焦平面陣列讀出電路，所述讀出電路包括有M*N陣列電路以及鏡像電路，所述讀出電路還包括：用于為所述M*N陣列電路以及所述鏡像電路分別提供動態(tài)偏置電壓的偏壓產(chǎn)生裝置，所述偏壓產(chǎn)生裝置包括有：感測電阻，其阻值隨所述讀出電路上襯底的溫度的變化而線性變化；偏壓產(chǎn)生模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)固定偏壓以及所述感測電阻的阻值，產(chǎn)生與所述阻值相關(guān)的動態(tài)偏置電壓，以向所述M*N陣列電路中的像元和所述鏡像電路中的傳感器電阻兩端提供動態(tài)的偏置電壓。如此，降低了襯底溫度的變化對所述讀出電路輸出電壓響應(yīng)率的影響，從而避免了非制冷紅外焦平面陣列探測器在高溫時(shí)輸出電壓超出動態(tài)范圍的問題。