一種凹陷式類單晶籽晶鑄錠熔化結(jié)晶工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710019679.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106591937B 公開（公告）日 2019-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN106591937B 申請(qǐng)公布日 2019-11-26
分類號(hào) C30B11/04（2006.01）; C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王強(qiáng); 尤敏; 陳云; 鄧潔; 朱海峰; 章國(guó)安 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南通大學(xué)
地址 226019 江蘇省南通市嗇園路9號(hào)南通大學(xué)6號(hào)樓205
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種凹陷式塊狀類單晶籽晶鑄錠熔化結(jié)晶工藝，包括如下步驟：(1)單晶硅籽晶的制備及裝料階段；(2)單晶硅籽晶鑄錠熔化階段；(3)類單晶長(zhǎng)晶階段。本發(fā)明的特點(diǎn)在于當(dāng)硅料熔液從頂部向底部流動(dòng)經(jīng)過阻擋層時(shí)，會(huì)沿著晶磚的凹陷角度向坩堝中心流動(dòng)。這樣就可以避免因?yàn)殍T錠爐的加熱器位于坩堝頂部和四壁，坩堝壁處的溫度較高，導(dǎo)致坩堝壁處的硅溶液沿著坩堝壁向下流動(dòng)，接觸籽晶層造成邊側(cè)籽晶層熔穿的現(xiàn)象。同時(shí)，緩沖層向中心流動(dòng)的硅熔液可以提高坩堝中心的溫度，避免了在中心處的籽晶層未熔化的現(xiàn)象，采用了降溫速率控制工藝，實(shí)現(xiàn)了鑄錠工藝的優(yōu)化。