導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、電容器陣列結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711373297.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108155152B 公開（公告）日 2019-09-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN108155152B 申請(qǐng)公布日 2019-09-06
分類號(hào) H01L21/8242（2006.01）I; H01L27/108（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 睿力集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號(hào)海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于多晶硅制程的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、電容器陣列結(jié)構(gòu)及制備方法，導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備包括：提供一基底，于基底中形成凹穴結(jié)構(gòu)；于凹穴結(jié)構(gòu)內(nèi)形成導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)，形成導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)的材料源至少包含硅源及鍺源，鍺源中的鍺原子作為硅源中硅原子聚集生長(zhǎng)的晶核，以增大導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)中的硅結(jié)晶粒度。通過上述方案，本發(fā)明提出了制造大晶粒多晶硅的方式，引入了作為硅晶粒聚集生長(zhǎng)的晶核元素，如鍺，使硅原子聚集進(jìn)而加大結(jié)晶粒度，增加多晶硅結(jié)晶粒度可以減少晶界陷阱對(duì)載子的影響進(jìn)而增加導(dǎo)電率，本發(fā)明還通過保護(hù)層的設(shè)置，防止導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)中的鍺對(duì)制程的影響，達(dá)到了導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)與其他結(jié)構(gòu)層之間的有效連接，進(jìn)一步改善了導(dǎo)體填充結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。