電容器陣列及其形成方法、半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810387467.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108550568B 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN108550568B 申請公布日 2020-04-10
分類號 H01L23/64;H01L27/108 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳雙雙 申請（專利權(quán)）人 睿力集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 智云
地址 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種電容器陣列及其形成方法、半導(dǎo)體器件，所述方法包括：在基底上形成交替疊置的主體支撐層與犧牲層，然后形成貫穿犧牲層與主體支撐層的通孔，在通孔內(nèi)形成下電極，下電極呈多個(gè)筒狀結(jié)構(gòu)，接著去除位于頂層的犧牲層，形成輔助支撐層，輔助支撐層的第一部分遮蓋筒狀結(jié)構(gòu)的頂部開口，第二部分覆蓋主體支撐層，第三部分連接第一部分與第二部分并位于主體支撐層上，之后去除輔助支撐層中的第一部分與第二部分以及由第二部分覆蓋的主體支撐層，輔助支撐層的第三部分與剩余的主體支撐層組共同支撐下電極的頂部，以此解決電容器容易倒塌的問題，同時(shí)能夠維持足夠的電容高度，有效提高了電容器的容量及質(zhì)量。