一種可用于靜電泄放防護(hù)的內(nèi)嵌隔離環(huán)可控硅

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910805721.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110459594A 公開（公告）日 2019-11-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN110459594A 申請(qǐng)公布日 2019-11-15
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/74 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喬明;齊釗;鄧琪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都矽能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 610093四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種可用于靜電泄放防護(hù)的內(nèi)嵌隔離環(huán)可控硅，包括P型襯底，P型襯底上表面兩側(cè)設(shè)置的N阱區(qū)和P阱區(qū)，N阱區(qū)內(nèi)表面設(shè)置的陽(yáng)極，P阱區(qū)內(nèi)表面設(shè)置的陰極，設(shè)置在P型襯底上表面且兩端設(shè)置在N阱區(qū)和P阱區(qū)內(nèi)部的第三N+區(qū)，N型隔離環(huán)和/或P型隔離環(huán)。其中N型隔離環(huán)包括設(shè)置在N阱區(qū)下方的N埋層，設(shè)置在N阱區(qū)遠(yuǎn)離P阱區(qū)的一側(cè)且與N阱區(qū)和N埋層接觸的第一N型深注入層，設(shè)置在N阱區(qū)靠近P阱區(qū)的一側(cè)且與N阱區(qū)和N埋層接觸的第二N型深注入層；P型隔離環(huán)包括設(shè)置在P阱區(qū)下方的P埋層，設(shè)置在P阱區(qū)遠(yuǎn)離N阱區(qū)的一側(cè)且與P阱區(qū)和P埋層接觸的第一P型深注入層，設(shè)置在P阱區(qū)靠近N阱區(qū)的一側(cè)且與P阱區(qū)和P埋層接觸的第二P型深注入層。