一種SOI橫向恒流二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910873979.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110491889A 公開（公告）日 2019-11-22
申請公布號 CN110491889A 申請公布日 2019-11-22
分類號 H01L27/12（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L29/861（2006.01）; H01L21/329（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喬明; 何林蓉; 鄧琪 申請（專利權）人 成都矽能科技有限公司
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 610093 四川省成都市自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種SOI橫向恒流二極管及其制造方法，屬于半導體功率器件技術領域。所述橫向恒流二極管由多個結構相同的元胞叉指連接形成，所述元胞包括襯底、埋氧層、第一導電類型輕摻雜硅、第二導電類型擴散阱區(qū)、第一導電類型溝道注入?yún)^(qū)、第二導電類型重摻雜區(qū)、第一重摻雜區(qū)、第二重摻雜區(qū)、氧化介質(zhì)層、金屬陽極和金屬陰極，所述第一重摻雜區(qū)和所述第二重摻雜區(qū)均為第一導電類型。本發(fā)明恒流二極管采用SOI技術，可有效防止集成系統(tǒng)中襯底漏電流帶來的不利影響。