一種具有內嵌隔離環(huán)的高維持電壓可控硅

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921418257.3 申請日 -
公開（公告）號 CN210092089U 公開（公告）日 2020-02-18
申請公布號 CN210092089U 申請公布日 2020-02-18
分類號 H01L29/06;H01L29/74 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喬明;齊釗;鄧琪 申請（專利權）人 成都矽能科技有限公司
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 610093 四川省成都市自由貿易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有內嵌隔離環(huán)的高維持電壓可控硅，包括P型襯底，P型襯底上表面兩側設置的N阱區(qū)和P阱區(qū)，N阱區(qū)內表面設置的陽極，P阱區(qū)內表面設置的陰極，設置在P型襯底上表面且兩端設置在N阱區(qū)和P阱區(qū)內部的第三N+區(qū)，N型隔離環(huán)和/或P型隔離環(huán)。其中N型隔離環(huán)包括設置在N阱區(qū)下方的N埋層，設置在N阱區(qū)遠離P阱區(qū)的一側且與N阱區(qū)和N埋層接觸的第一N型深注入層，設置在N阱區(qū)靠近P阱區(qū)的一側且與N阱區(qū)和N埋層接觸的第二N型深注入層；P型隔離環(huán)包括設置在P阱區(qū)下方的P埋層，設置在P阱區(qū)遠離N阱區(qū)的一側且與P阱區(qū)和P埋層接觸的第一P型深注入層，設置在P阱區(qū)靠近N阱區(qū)的一側且與P阱區(qū)和P埋層接觸的第二P型深注入層。