一種Ⅱ-類超晶格紅外探測器吸收區(qū)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820644882.9 申請日 -
公開（公告）號 CN208422929U 公開（公告）日 2019-01-22
申請公布號 CN208422929U 申請公布日 2019-01-22
分類號 H01L31/0304;H01L31/09 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹健龍;茹國海 申請（專利權(quán)）人 嘉興風云科技有限責任公司
代理機構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務所（普通合伙） 代理人 程開生
地址 314000 浙江省嘉興市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)昌盛南路36號嘉興智慧產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園10號樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種Ⅱ?類超晶格紅外探測器吸收區(qū)結(jié)構(gòu)，吸收區(qū)由若干層超晶格層依次疊加構(gòu)成，每層超晶格層從下往上依次包括有InAs層、第一類GaAs界面、第一GaSb層、第一InSb層、第二GaSb層、第二InSb層、第三GaSb層、第二類GaAs界面。本實用新型的Ⅱ?類超晶格紅外探測器吸收區(qū)結(jié)構(gòu)，通過調(diào)整InAs層和第二GaSb層的厚度，能夠?qū)崿F(xiàn)對短波紅外（SWIR，1?3微米）、中波紅外（MWIR，3?5微米）、長波紅外（LWIR，8?12微米）、甚長波紅外（VLWIR，12?30微米）中任意一種進行高效地吸收。