一種用于清潔石英晶舟的方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210239661.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114613665A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN114613665A 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李亮亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安維英格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 710100陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號(hào)1-3-029室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種用于清潔石英晶舟的方法及裝置，所述方法包括：在高溫環(huán)境下利用蝕刻氣體對(duì)待清潔的所述石英晶舟進(jìn)行第一蝕刻，以獲得位于所述石英晶舟的表面處并且能夠產(chǎn)生吸雜作用的損傷層和應(yīng)力層；對(duì)經(jīng)歷所述第一蝕刻的所述石英晶舟進(jìn)行熱處理，以促進(jìn)所述石英晶舟中的雜質(zhì)在所述吸雜作用的影響下朝向所述石英晶舟的表面擴(kuò)散；在高溫環(huán)境下利用蝕刻氣體對(duì)經(jīng)歷所述熱處理的石英晶舟進(jìn)行第二蝕刻，以將擴(kuò)散至所述石英晶舟的表層的雜質(zhì)隨所述石英晶舟的表層一起從所述石英晶舟去除。