一種用于硅片邊緣刻蝕的裝置和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210620140.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114695210A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695210A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝寧;王力 申請（專利權(quán)）人 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 西安維英格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 710065陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種用于硅片邊緣刻蝕的裝置和方法，所述硅片邊緣具有切口，所述裝置包括：第一驅(qū)動器，所述第一驅(qū)動器用于使硅片繞中心軸線轉(zhuǎn)動；感測器，所述感測器用于感測所述硅片的外周緣中的每一點在所述外周緣上的位置；噴頭，所述噴頭用于噴射刻蝕液；第二驅(qū)動器，所述第二驅(qū)動器用于根據(jù)所述感測器感測到的位置使所述噴頭在所述邊緣上進行第一移動，以使所述刻蝕液以所述噴頭與所述外周緣之間的徑向間距保持恒定的方式噴射至所述硅片的邊緣處。通過應(yīng)用于上述裝置的方法，在刻蝕過程中通過改變噴頭的刻蝕路徑能夠?qū)崿F(xiàn)對具有切口的硅片的邊緣均勻刻蝕。