一種用于導模法生長氧化鎵晶體的監(jiān)控系統(tǒng)及氧化鎵晶體制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110178952.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113026103A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113026103A 申請公布日 2021-06-25
分類號 C30B29/16;C30B15/34;C30B15/28;C30B15/26 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 齊紅基;賽青林;陳端陽 申請（專利權）人 杭州富加鎵業(yè)科技有限公司
代理機構 深圳市君勝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉文求;朱陽波
地址 311400 浙江省杭州市富陽區(qū)春江街道江南路68號第23幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種用于導模法生長氧化鎵晶體的監(jiān)控系統(tǒng)及氧化鎵晶體制備方法，其中，所述監(jiān)控系統(tǒng)包括設置有觀察窗的晶體生長爐以及籽晶桿，所述籽晶桿的一端插入到所述晶體生長爐內，所述籽晶桿的另一端連接有升降裝置，所述籽晶桿靠近所述升降裝置的一側上還設置有用于實時獲取氧化鎵晶體重量的壓力傳感器，所述觀察窗外側設置有紅外攝像機，所述壓力傳感器與所述紅外攝像機均與外接計算機電連接。本實施例提供的監(jiān)控系統(tǒng)可以及時識別氧化鎵晶體生長過程中出現(xiàn)的過熱或者過冷的現(xiàn)象，并且第一時間調節(jié)發(fā)熱體的加熱功率，有效降低由于過熱或者過冷導致的晶體生長失敗問題，有利于規(guī)?；a高質量、低成本的氧化鎵單晶。