一種探測(cè)裝置及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110178838.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112864256A | 公開(公告)日 | 2021-05-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112864256A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
分類號(hào) | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 齊紅基;賽青林;張龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉文求;朱陽波 |
地址 | 311400浙江省杭州市富陽區(qū)春江街道江南路68號(hào)第23幢301室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種探測(cè)裝置及其制備方法,探測(cè)裝置包括:依次排列的第一氧化鎵層和第二氧化鎵層;第二氧化鎵層設(shè)置有電極組件;第一氧化鎵層的截止波長小于第二氧化鎵層的截止波長。當(dāng)光線照射到第一氧化鎵層時(shí),光線中波長小于或等于第一氧化鎵層的截止波長的部分會(huì)被第一氧化鎵層吸收,光線中波長大于第一氧化鎵層的截止波長的部分會(huì)透過第一氧化鎵層,然后繼續(xù)照射到第二氧化鎵層,則光線中波長大于第一氧化鎵層的截止波長且小于或等于第二氧化鎵層的截止波長的部分會(huì)被第二氧化鎵層吸收,且通過電極組件輸出光電信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)特定波長范圍的光線的探測(cè)。?? |
